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- 普興公司6英寸碳化硅外延高速率生長工藝... [2021-02-23]
- 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有禁帶寬度寬（3 26 eV）、擊穿電場強度大（2 8 MV cm）、飽和電子遷移速度快（2 2*107
- 普興公司第14屆乒乓球比賽完美落幕 [2021-02-23]
- 為豐富員工的業余文化生活，提高員工身體素質，展現員工自我風采，日前普興公司工會組織開展了第14屆普興杯乒乓球比賽。乒乓球比賽是普興公
- 全面升級，馬力全開， 普興公司外延業... [2021-02-23]
- 根據公司十三五發展規劃，公司不斷進行產品結構調整和產品性能提升工作。2019年，半導體材料行業遇周期性的市場波動，全產業鏈需求低靡。普
- 普興公司“擴規模”、“增產能”、“創... [2021-02-23]
- 12月1日，普興公司二廠二期新廠房迎來了5臺硅外延新設備，吹響了普興大干30天，打贏收官戰的號角，為實現公司全年產能效益目標貢獻力量。新
- 我國第三代半導體材料制造設備取得新突破 [2017-11-06]
- 通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等...
- 全球硅晶圓供應告急 我國12英寸99%依賴進口 [2017-11-06]
- 據悉，硅晶圓一直是我國半導體產業鏈的一大短板，目前國內企業只能達到4～6英寸硅片的性能需要，并少量供應8英寸市場，12英寸硅晶圓基本是...
